某DRAM芯片采用128×128矩阵结构,存取周期为0.5μs,若采用异步刷新方式,相邻两行的刷新间隔应为?

答案解析

核心考点:动态存储器刷新机制。解题思路:异步刷新将刷新操作均匀分布到最大刷新间隔(2ms)内。相邻两行刷新间隔=最大刷新间隔时间÷行数=2ms÷128=15.625μs。选项B正确。选项A是集中刷新的行间隔;选项C是集中刷新总时间;选项D是最大刷新间隔而非相邻行间隔。
正确答案:B
随机推荐
开始刷题