核心考点：高位交叉编址存储器的串行访问特性。高位交叉各存储体独立，无并行能力，访问是串行进行的。 解题思路：高位交叉编址下，连续访问多个字需逐个访问不同存储体，每个字访问耗时一个存取周期T。因此连续读取8个字需要8个完整的存取周期，即8T。 选项分析： - A.T：错误，只能读取一个字的时间。 - B.8T：正确，高位交叉无并行能力，8次访问需8T。 - C.T+7τ：错误，这是低位交叉编址的公式（T+(n-1)τ），本题是高位交叉。 - D.7T：错误，少于实际所需时间（应为8T）。 易错点提醒：高位交叉与低位交叉的时间计算公式截然不同。高位交叉：时间=nT；低位交叉：时间=T+(n-1)τ（τ为总线传输周期，通常τ=T/m，m为存储体数）。