核心考点说明：本题考察存储器类型及其存储机制的本质区别，需结合动态与静态存储器的工作原理进行分析。 解题思路分析：题目中明确指出存储芯片在断电后需要周期性刷新才能维持数据完整性。根据存储器原理，SRAM采用双稳态触发器存储数据，只要保持通电即可稳定保存信息；而DRAM依赖电容存储电荷，电荷会因泄漏逐渐消失，因此必须定期刷新。磁滞效应是磁存储器（如硬盘）的原理，闪存晶体管属于非易失性存储器（如SSD），断电后无需刷新。 选项详细分析： A选项描述的是SRAM的存储机制，无需刷新，与题干矛盾，错误。 B选项描述的是DRAM的存储机制，电容泄漏导致需要刷新，正确。 C选项涉及磁存储技术，与DRAM无关，错误。 D选项属于非易失性存储器，断电后数据不丢失，错误。 易错点提醒：需区分DRAM与SRAM的核心差异，避免混淆刷新机制与非易失性存储器的特性。