核心考点：Flash Memory与DRAM的存储原理和特性差异 解题思路分析： 1. Flash Memory是EEPROM的进一步发展，属于非易失性存储器 2. DRAM的存储单元基于电容存储电荷，需要定期刷新 3. Flash Memory的存储单元由MOS管组成，利用浮栅是否有电荷存储信息 4. Flash Memory的擦除和写入操作具有特殊性 5. 存储器的速度特性比较 选项分析： A. 错误。Flash Memory的存储单元不是触发器，而是带有浮栅的MOS管 B. 错误。Flash Memory的擦除是以块为单位，而非字节 C. 错误。DRAM作为主存速度通常比Flash Memory（用于辅存）快一个数量级 D. 正确。Flash Memory写入前必须先擦除，这是其重要特性 易错点提醒： 1. 存储原理的混淆（触发器 vs 电容 vs 浮栅） 2. Flash Memory的擦除和写入特性 3. 存储器速度的相对比较 4. 存储器分类与应用场景的区别