某计算机系统采用DRAM芯片,其存储矩阵为512行×512列,单次存取周期为0.5μs。若采用分散刷新方式,且最大刷新间隔为4ms,则以下关于该存储系统的描述中,哪一项是正确的?

答案解析

核心考点:分散刷新方式的特点与性能影响 解题思路分析: 1. 分散刷新将刷新操作分散到每个存取周期内 2. 每行刷新间隔=最大刷新间隔÷行数=4ms÷512=7.8125μs 3. 每个存取周期必须分配时间给刷新操作 4. 由于每行刷新一次需要0.5μs,因此系统必须每7.8125μs进行一次刷新 5. 这导致存取周期必须延长至7.8125μs,但题目选项中最近的是8μs 6. 实际存取周期=原存取周期+刷新时间=0.5μs+0.5μs=1μs 选项分析: A. 正确。分散刷新需要在每个存取周期内完成一次读写和一次刷新,因此存取周期延长至1μs B. 错误。每行刷新间隔应为7.8125μs,而非8μs。这是对异步刷新的混淆 C. 错误。分散刷新时刷新和读写交替进行,不会同时处理行和列地址 D. 错误。分散刷新不会减少存储容量,而是降低访问速度 易错点提醒: 1. 刷新方式的特点混淆(分散刷新与异步刷新的区别) 2. 存取周期延长的计算方式 3. 刷新间隔与存取周期的关系 4. 刷新操作对存储系统性能的影响
正确答案:A
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