某计算机系统采用DRAM芯片,其存储矩阵为512行×512列,单次存取周期为0.5μs。若采用分散刷新方式,且最大刷新间隔为4ms,则以下关于该存储系统的描述中,哪一项是正确的?
答案解析
核心考点:分散刷新方式的特点与性能影响
解题思路分析:
1. 分散刷新将刷新操作分散到每个存取周期内
2. 每行刷新间隔=最大刷新间隔÷行数=4ms÷512=7.8125μs
3. 每个存取周期必须分配时间给刷新操作
4. 由于每行刷新一次需要0.5μs,因此系统必须每7.8125μs进行一次刷新
5. 这导致存取周期必须延长至7.8125μs,但题目选项中最近的是8μs
6. 实际存取周期=原存取周期+刷新时间=0.5μs+0.5μs=1μs
选项分析:
A. 正确。分散刷新需要在每个存取周期内完成一次读写和一次刷新,因此存取周期延长至1μs
B. 错误。每行刷新间隔应为7.8125μs,而非8μs。这是对异步刷新的混淆
C. 错误。分散刷新时刷新和读写交替进行,不会同时处理行和列地址
D. 错误。分散刷新不会减少存储容量,而是降低访问速度
易错点提醒:
1. 刷新方式的特点混淆(分散刷新与异步刷新的区别)
2. 存取周期延长的计算方式
3. 刷新间隔与存取周期的关系
4. 刷新操作对存储系统性能的影响
正确答案:A